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J-GLOBAL ID:201702248611351477   整理番号:17A0511294

優先結晶配向したBaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の誘電特性

Dielectric properties of BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 films with preferential crystal orientation
著者 (4件):
資料名:
巻: 124  号:ページ: 648-652(J-STAGE)  発行年: 2016年 
JST資料番号: U0409A  ISSN: 1348-6535  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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CSD法により,(100)および(111)面に優先結晶配向したBaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3(BT-BMT)固溶体系薄膜を,(100)SrRuO3//(100)SrTiO3および(111)SrRuO3//(111)SrTiO3基板上に作製した。(111)配向BT-BMT薄膜は,(100)配向または無秩序配向膜より約800倍高い,室温誘電率(εr)を有することが確認された。BT-BMT膜は,結晶配向には依存せず,比較的安定なキャパシタンスの温度係数(TCC)を示し,キャパシタンスが大きく変化することなく,400°Cまでεrが向上した。これらの特性は,高温エレクトロニクス用の誘電キャパシタに適している。(翻訳著者抄録)
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