結晶欠陥をもつ(001)β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上に作製したSchottky障壁ダイオードの電気的性質

OSHIMA Takayoshi; HASHIGUCHI Akihiro; MORIBAYASHI Tomoya; KOSHI Kimiyoshi; KOSHI Kimiyoshi; SASAKI Kohei; SASAKI Kohei; KURAMATA Akito; KURAMATA Akito; UEDA Osamu; OISHI Toshiyuki; KASU Makoto

文献

J-GLOBAL ID：201702249185705188 整理番号：17A1810916

結晶欠陥をもつ(001)β-Ga₂O₃基板上に作製したSchottky障壁ダイオードの電気的性質

Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga₂O₃ substrates with crystal defects

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資料名：
巻： 56 号： 8 ページ： 086501.1-086501.7 発行年： 2017年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

(001)β-Ga₂O₃基板上のSchottky障壁ダイオード(SBD)の電気的性質を評価し,ウェットエッチングで明らかになった対応するSchottky接触の下の結晶欠陥と関連付けた。このエッチングプロセスでエッチ溝やエッチピットが現れ,それぞれ表面近くの線状ボイドと微小欠陥の存在を示している。電気的性質(すなわち,漏れ電流,理想因子および障壁高さ)は線状ボイドの密度とはほとんどなんの相関も示さなかった。この極めて弱い相関は,[010]方向に沿って伸びる線状ボイドとSchottky金属と接触している初期面上にはボイドがほとんど露出していない(001)基底面の間の平行な位置関係を考慮すると合理的である。微小欠陥の分布と異常に大きな漏れ電流をもつSBDは基板上で類似したパターンを示し,これらの欠陥が致命的な漏れ経路の出現の原因であることを示唆している。これらの結果はこれらの基板を使って向上した性能をもつデバイスの作製のための(001)β-Ga₂O₃基板の結晶欠陥の管理に関する研究を促進する。(翻訳著者抄録)

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ダイオード , 半導体-金属接触 , 半導体の格子欠陥

引用文献 (28件)：

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結晶欠陥をもつ(001)β-Ga2O3基板上に作製したSchottky障壁ダイオードの電気的性質

結晶欠陥をもつ(001)β-Ga₂O₃基板上に作製したSchottky障壁ダイオードの電気的性質