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J-GLOBAL ID：201702249350634094   整理番号：17A1640779

UTB-GeOI MOSFETにおけるチャネル厚さスケーリング誘起電子移動度増大の初めての実験的観察【Powered by NICT】

First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs

著者 (9件)： Chang Wen Hsin (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Irisawa Toshifumi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Ishii Hiroyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Hattori Hiroyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Ota Hiroyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Takagi Hideki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Kurashima Yuichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Uchida Noriyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Maeda Tatsuro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4615-4621  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質極薄体(UTB)-Geオンインシュレータ(GeOI)基板はHEtero層リフトオフと呼ばれる改良層移動技術で作製した。GeOI基板における界面品質,Ge結晶度と厚さ変動の正確な制御により,20~3nm体厚さ(T_body)UTB-GeOI nMOSFETの電子移動度を系統的に調べた。13nm以下のT_bodyスケーリングとして重要な電子移動度の増加が観察された。チャネル厚さスケーリングにより誘導されるこの新たに発見された移動度の増大は,(001)閉じ込められたUTB GeOIにおけるエネルギーバンド構造の変調に帰することができ,電子有効質量減少を,第一原理計算により予測される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  品質 ,  有効質量 ,  *チャネル ,  *ゲルマニウム ,  *MOSFET ,  *移動度 ,  界面 ,  第一原理計算 ,  エネルギー帯 ,  高品質 ,  *電子移動度
準シソーラス用語： nMOSFET ,  リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  チャネル ,  厚さ ,  スケーリング ,  誘起 ,  電子移動度