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J-GLOBAL ID:201702254101117438   整理番号:17A0025072

セラミックスナノ多孔体 制御されたナノ細孔構造を持つセラミックス多孔体へのCVD法による均一炭素被覆と電気化学的応用

著者 (3件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 39-43  発行年: 2017年01月01日 
JST資料番号: S0291A  ISSN: 0009-031X  CODEN: SERAA7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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セラミックスナノ多孔体の細孔内部を高い導電性を有するグラフェン一層分(厚さ0.34nm)の炭素膜で完全に覆ったとすると,絶縁材料であるセラミックスナノ多孔体は導電性材料に変わり,電気化学的分野へのさまざまな応用展開が可能になる。そこで本稿では,細孔径が制御されたセラミックスナノ多孔体であるメソポーラスシリカ(MPS)とアルミニウム陽極酸化皮膜(AAO膜)を化学気相蒸着(CVD)法によって炭素被覆する手法と,そのナノ細孔構造の特徴を活かした電気化学的分野への応用について紹介した。まず,CVD法によるメソポーラスシリカへの均一炭素被覆について,その背景(シリカ表面活性化法,低温CVD),トリメチルシリル(TMS)化による炭素形成メカニズム(表面疎水化手法),および窒素ドープ炭素被覆メソポーラスシリカの作製(アセトニトリル)とその電気化学特性について説明した。次に,炭素被覆陽極酸化アルミニウムを用いたバイオ電極への応用事例を紹介した。
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分類 (3件):
分類
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非金属材料へのセラミック被覆  ,  炭素とその化合物  ,  電気化学一般 
物質索引 (1件):
物質索引
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