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J-GLOBAL ID：201702254578423938   整理番号：17A0644075

バルク単結晶Ga₂O₃の誘導結合プラズマエッチング

Inductively coupled plasma etching of bulk, single-crystal Ga₂O₃

著者 (8件)： Yang Jiancheng (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Ahn Shihyun (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Pearton Stephen (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Khanna Rohit (Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716) ,  Bevlin Kristen (Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716) ,  Geerpuram Dwarakanath (Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 3  ページ： 031205-031205-7  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cl₂/ArおよびBCl₃/Ar放電を用いた誘導結合プラズマ(ICP)装置にて,電源電力(100~800W),チャック電力(15-400W),周波数(13.56もしくは40MHz)で,バルク単結晶β-Ga₂O₃の高イオン密度ドライエッチングを実施した。最高のエッチ速度は,Cl₂/Arの場合もBCl₃/Arの場合も,800WのICP電源電力,200Wのチャック電力(13.56MHz)を用いたとき,~1300Åmin^-1が得られた。これは十分に実用的な条件の組合せで,装置内の試料の効果的なHe背面冷却と2000Wの電源電力が可能な装置での過大な電力を避けられたためレジストのしわの発生が生じなかった。エッチングはイオン支援で異方的なパターン転写をもたらす。強いイオン照射条件ではエッチされた表面では酸素欠損が生ずる可能性がある。この表面に作製されたShottkyダイオードでは,理想因子は高電力条件で1.00から1.29へと上昇し,障壁高さは参照ダイオードの1.1eVからエッチされた表面では0.86eVへ低下する。電気的に活性な損傷はエッチング中のイオンエネルギーとフラックスに依存する。Ga₂O₃表面の攪乱を減らすエッチ手順に向けては,プラズマ電力を低くするのが明らかな戦略である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  塩素 ,  ホウ素化合物 ,  塩化物 ,  *単結晶 ,  アルゴン ,  混合気体 ,  *加工速度 ,  異方性 ,  パターン転写 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *因子 ,  *高さ ,  エネルギー ,  フラックス【流束】 ,  電力
準シソーラス用語： *エッチング速度 ,  Schottkyダイオード ,  *理想因子 ,  *障壁高さ ,  イオンエネルギー ,  プラズマ電力

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  単結晶 ,  Ga2O3 ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング