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J-GLOBAL ID：201702256142920348   整理番号：17A0955314

Schottky障壁ダイオード壁集積化トレンチMOSFETの4H-SiC m面{1<span style=text-decoration:overline>1</span>00}上のSchottky障壁高さの評価

Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m-face {1<span style=text-decoration:overline>1</span>00} for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET

著者 (11件)： KOBAYASHI Yusuke (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Yusuke (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  ISHIMORI Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KINOSHITA Akimasa (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOJIMA Takahito (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA Takahito (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKEI Manabu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAKEI Manabu (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KIMURA Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KIMURA Hiroshi (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  HARADA Shinsuke (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CR08.1-04CR08.6  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セルピッチの縮小と本体ダイオードのフォワード劣化の抑制を目的として,Schottky障壁ダイオード壁集積化トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)を提案した。幅広い遮蔽p+領域と共に,トレンチSchottky障壁ダイオード(SBD)をトレンチゲートMOSFETに集積化した。p+領域は,SBD・MOSゲート両者のトレンチ底部をオフ時の高電界から保護する。SBDは,{1<span style=text-decoration:overline>1</span>00}面(m面)であるトレンチ側壁表面に配置した。直流シミュレーションと遷移シミュレーションの結果,SWITCH-MOSは,フォワード劣化をもたらすバイポーラ電流を十分抑制することが明らかになった。最適Schottky障壁高さ(SBH)は0.8~2.0eVであることが分かった。4H-SiCにおけるSBHは結晶面に依存する。しかし,m面のSBHは不明確であった。そこで,今回初めて,プレーナm面SBDを作製し,チタンまたはニッケルをSchottky金属とした実験によって,SBHとして1.5から1.8eVの値を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  構造 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  集積 ,  高さ
準シソーラス用語： *パワーMOSFET ,  炭化ケイ素素子 ,  トレンチゲート構造 ,  集積化 ,  障壁高さ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (31件)：

• H. Lendenmann, P. Bergman, F. Dahlquist, and C. Hallin, Mater. Sci. Forum 433-436, 901 (2002).
• A. Agarwal, H. Fatima, and S. Haney, IEEE Electron Device Lett. 28, 587 (2007).
• A. Galeckas, J. Linnros, and P. Pirouz, Appl. Phys. Lett. 81, 883 (2002).
• H. Jiang, J. Wei, X. Dai, M. Ke, C. Zheng, and I. Deviny, Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2016, p. 59.
• M. Uchida, N. Horikawa, K. Tanaka, K. Takahashi, T. Kiyosawa, M. Hayashi, M. Niwayama, O. Kusumoto, K. Adachi, C. Kudou, and M. Kitabatake, IEDM Tech. Dig., 2011, 26.6.1.

タイトルに関連する用語 (7件)： Schottky障壁ダイオード ,  集積化 ,  トレンチ ,  MOSFET ,  4H-SiC ,  Schottky障壁高さ ,  評価