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J-GLOBAL ID:201702257207906150   整理番号:17A1003258

横電流注入型GaInAsP/InP膜Fabry-Perotレーザの導波路損失低減

Waveguide loss reduction of lateral-current-injection type GaInAsP/InP membrane Fabry-Perot laser
著者 (7件):
資料名:
巻: 56  号:ページ: 050311.1-050311.4  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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低ドープp-InPキャップと側面クラッド層を採用することにより,横電流注入(LCI)型GaInAsP/InP膜Fabry-Perotレーザの導波路損失を調べた。75%の内部量子効率が得られ,導波路損失は22cm-1に減少し,これは以前の報告値の約半分であった。さらに,空洞長が400μm以下の素子では,50%を超える微分量子効率が得られた。これらの結果は,100μm以下の活性領域長を有するLCI型膜分布帰還型および分布反射型レーザのサブmA閾値電流および高効率動作の可能性を示す。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体レーザ 

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