Huang Xiaqi について
Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Shao Jinhai について
Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China について
ChialinTsou について
Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Zhang Sichao について
Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Lu Bingrui について
Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Hao Ling について
National Physical Laboratory, Teddington TW11 0LW, UK について
Sun Yan について
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China について
Chen Yifang について
Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Microelectronic Engineering について
二分子層 について
電子ビームリソグラフィー について
ナノ構造 について
コントラスト について
金 について
地層 について
ドライエッチング について
プロセスパラメータ について
最適化 について
メタライゼーション について
リフトオフ について
フィーチャサイズ について
二重層 について
二層 について
ナノスリット について
キーワード電子ビームリソグラフィー について
PMMA/NEB二重層 について
反応性イオンエッチング について
サブ20nm金スリット について
固体デバイス製造技術一般 について
電子ビームリソグラフィー について
ドライエッチング について
サブ について
ナノスリット について
PMMA について
NEB について
プロセス について