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J-GLOBAL ID：201702257872152546   整理番号：17A1172597

選択的電子ビームリソグラフィーとドライエッチングによるサブ20nm金ナノスリットのための新しいPMMA/NEB二層プロセス【Powered by NICT】

A novel PMMA/NEB bilayer process for sub-20nm gold nanoslits by a selective electron beam lithography and dry etch

著者 (8件)： Huang Xiaqi (Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Shao Jinhai (Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  ChialinTsou (Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhang Sichao (Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Lu Bingrui (Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Hao Ling (National Physical Laboratory, Teddington TW11 0LW, UK) ,  Sun Yan (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Chen Yifang (Nanolithogrophy and Application Research Group, State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 172  ページ： 13-18  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PMMA/NEB二層膜を用いた新しい電子ビームリソグラフィープロセスは,超微細スリットの発生と同様に厚い金膜中の広い溝のために開発した。最小フィーチャサイズがサブ20nmまでマイクロメータからスリット幅が達成された。頂部と底部層の間の反対音によるPMMA/NEBの二分子層の電子ビームリソグラフィーは,コントラスト曲線法によって注意深く調べた。電子ビームリソグラフィーとドライエッチングの両方のプロセスパラメータは,その後のメタライゼーションとリフトオフによるAu膜中のナノスリットを形成するためのテンプレートとしての超微細PMMA/NEB線を達成するために最適化した。開発したプロセスは,Au膜中のナノトレンチを複製でなく,全体として金属の製造凹面ナノ構造に適用できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二分子層 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  ナノ構造 ,  コントラスト ,  *金 ,  地層 ,  *ドライエッチング ,  プロセスパラメータ ,  最適化 ,  メタライゼーション
準シソーラス用語： リフトオフ ,  フィーチャサイズ ,  二重層 ,  *二層 ,  *ナノスリット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： キーワード電子ビームリソグラフィー ,  PMMA/NEB二重層 ,  反応性イオンエッチング ,  サブ20nm金スリット

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子ビームリソグラフィー ,  ドライエッチング ,  サブ ,  ナノスリット ,  PMMA ,  NEB ,  プロセス