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J-GLOBAL ID：201702258063967830   整理番号：17A0922706

マイクロメカニカル共振器応用のためのシリコン基板上へのGaN結晶層のポリマー接合

Polymer bonding of GaN crystal layer on silicon substrate for micro mechanical resonator applications

著者 (3件)： SASAKI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAYAKAWA Yuta (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANE Kazuhiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 23  号： 7  ページ： 2891-2898  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,シリコン基板上へのGaNマイクロ電気機械デバイスの集積化のために,シリコン基板上のGaN結晶層のポリマー接合方法を研究した。接合方法は,気泡によって接合されたGaN薄層を破壊しないようにするための2段階ポリマープロセスからなる。気泡を除去するために第1のポリマーを20μmの空気チャネルでパターン化し,空気チャネルを真空中で第2のポリマーで充填した。シリコン深部反応性イオンエッチングによりGaN/シリコンウェハのシリコン基板を除去し,SF₆プラズマの高速原子ビームとCl₂反応性イオンプラズマによりGaN結晶成長のためのバッファ層もエッチングした。犠牲層としてポリマーをエッチングすることによって,厚さ400nmのGaNマイクロメカニカル共振器をシリコン基板上に製作した。光ファイバー結合によるレーザ照射により,カンチレバー共振器を約200kHzの周波数で光熱的に励起した。提案した接合方法が,GaN先行共振器の製造に有用であることを確認した。

シソーラス用語： *共振器 ,  ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  結晶成長 ,  バッファ層 ,  *接合 ,  重合体 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *GaN ,  *MEMS共振器 ,  シリコン基板 ,  ポリマ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： マイクロ ,  共振器 ,  応用 ,  シリコン基板 ,  GaN ,  結晶 ,  ポリマー