文献

J-GLOBAL ID：201702258073013216   整理番号：17A1003307

(001)Al₂O₃および(100)CaF₂基板上への優先(111)配向Mg₂Si薄膜の作製とその熱電特性

Preparation of preferentially (111)-oriented Mg₂Si thin films on (001)Al₂O₃ and (100)CaF₂ substrates and their thermoelectric properties

著者 (10件)： KUROKAWA Mao (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  UEHARA Mutsuo (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  ICHINOSE Daichi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Takao (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  AKIYAMA Kensuke (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  AKIYAMA Kensuke (Kanagawa Industrial Technol. Center, Kanagawa, JPN) ,  MATSUSHIMA Masaaki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  UCHIDA Hiroshi (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIMURA Yoshisato (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 5S1  ページ： 05DC02.1-05DC02.4  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリングにより,(001)Al₂O₃および(100)CaF₂基板上に320°CでMg₂Si薄膜を堆積した。両方の薄膜は,ポストアニール処理に関係なく,面内ランダム配向を有する優先(111)面外配向を示した。(001)Al₂O₃基板上のMg₂Si膜は,面内引張り歪下にあり,一方,(100)CaF₂基板上の膜は,熱処理前後において,面内圧縮歪下にあった。熱処理された膜は,500°CまでP型伝導を示した。これらの膜の電気伝導度とSeebeck係数は,室温で0.22%の圧縮歪から0.34%の引張り歪まで,本研究の限界内において,基板の種類とほとんど無関係であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *フッ化カルシウム ,  *優先配向 ,  *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *構成 ,  *電気特性 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  焼なまし ,  配向 ,  歪 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： *ケイ化マグネシウム ,  *薄膜形成 ,  *熱電特性 ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  ポストアニール処理 ,  ランダム配向 ,  引張歪 ,  圧縮歪 ,  電気伝導度

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (33件)：

• L. T. Hung, N. Van Nong, S. Linderoth, and N. Pryds, Phys. Status Solidi A 212, 767 (2015).
• W. Liu, X. Tang, and J. Sharp, J. Phys. D 43, 085406 (2010).
• M. Riffel and J. Schilz, Proc. the 16th Int. Conf. Thermoelectrics, 1997, p. 283.
• J. I. Tani and H. Kido, Physica B 364, 218 (2005).
• J. Zhao, Z. Liu, J. Reid, K. Takarabe, T. Iida, B. Wang, U. Yoshiya, and J. S. Tse, J. Mater. Chem. A 3, 19774 (2015).

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  CaF2 ,  優先 ,  配向 ,  作製 ,  熱電特性