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J-GLOBAL ID：201702259750357223   整理番号：17A1810337

Niナノドットシーディング核形成と組み合わせたプラズマ増強CVDによる結晶Si:H/Ge:Hヘテロ構造の低温形成

Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation

著者 (6件)： LU Yimin (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAKIHARA Katsunori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI Daichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHTA Akio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 6S1  ページ： 06GG07.1-06GG07.4  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ニッケル ,  核形成 ,  ナノ構造 ,  プラズマCVD ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *素子構造 ,  誘導結合プラズマ ,  微結晶 ,  混合構造 ,  格子不整合 ,  太陽電池 ,  Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  *水素化物
準シソーラス用語： シーディング ,  ナノドット ,  *ヘテロ構造

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  核形成 ,  プラズマ増強CVD ,  結晶Si ,  Ge ,  ヘテロ構造 ,  低温形成