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J-GLOBAL ID：201702260049665555   整理番号：17A0776283

熱プラズマジェットを用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用

著者 (1件)： 東清一郎 (広島大学大学院先端物質科学研究科)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 3  ページ： 77-80(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)は,従来の主流である水素化非晶質シリコン(a-Si:H)TFTに比べ移動度が2桁以上高く,高信頼であり,CMOSによる周辺回路のモノリシック集積が可能であることから,次世代フレキシブルデバイス材料として精力的に研究されている。現在エキシマレーザアニーリング(ELA)が広く用いられているが,ダングリングボンドに起因する高い欠陥密度のためTFTの電気特性がばらつき,装置コストが高く大面積化に伴うコスト増大が大きいという問題を抱えている。そこで,著者等は大気圧において大出力可能な大気圧熱プラズマジェット(TPJ)を用いた結晶化技術を提案してきた。本稿では,高密度化したTPJ(μ-TPJ)照射によるa-Siの結晶化のメカニズム,結晶成長制御技術,TFT作製プロセスへの導入と素子特性,CMOS回路応用について報告する。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *薄膜トランジスタ ,  半導体薄膜 ,  CMOS構造 ,  *プラズマジェット ,  *結晶化 ,  *アモルファスシリコン ,  成長調節 ,  部品 ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： CMOS回路 ,  フレキシブルデバイス ,  成長制御 ,  *大気圧プラズマジェット

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• 1) H. S. Tan, N. Mathews, T. Cahyadi, F. R. Zhu and S. G. Mhaisalkar: Appl. Phys. Lett., 94 (2009) 263303.
• 2) U. Zschieschang, M. J. Kang, K. Takimiya, T. Sekitani, T. Someya, T. W. Canzler, A. Werner, J. B. -Nimoth and H. Klauk: J. Mater. Chem., 22 (2012) 4273.
• 3) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono: Nature, 432 (2004) 488.
• 4) H. -H. Hsieh, T. Kamiya. K. Nomura, H. Hosono and C. -C. Wu: Appl. Phys. Lett., 92 (2008) 133503.
• 5) H. -C. Cheng and C. -Y. Tsay: J. Alloys Compd., 507 (2010) L1.

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱プラズマ ,  ジェット ,  熱処理 ,  開発 ,  電子デバイス ,  プロセス ,  応用