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J-GLOBAL ID：201702261232919478   整理番号：17A0865342

C-V法によるレジスト膜へのTMAH現像剤侵入のin-situ監視

In-situ Monitoring of TMAH Developer Intrusion into Resist Film by C-V Method

著者 (2件)： Shirataki Hodaka (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology) ,  Kawai Akira (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 29  号： 6  ページ： 817-822(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レジスト膜へのTMAH現像液(2.38重量%水溶液)の浸入を,典型的な電流-電圧(C-V)法によって解析する。周知のデバイス構造として,MIS(金属/絶縁体/半導体)構造を採用し,絶縁膜材料としてレジスト膜(ノボラック樹脂ベース)を採用している。Auメッシュ電極上にTMAH現像剤の滴下する間に,静電容量の増加およびC-V曲線における負のゲートバイアス電圧領域に向かう平行シフトが明確に観察される。滴下の第1段階では,C-V曲線におけるこれらの信号変化は比較的大きい。レジスト膜の屈折率は,TMAH現像液滴下後にわずかに増加し,これはTMAH現像液侵入によるポリマー樹脂の凝縮を反映する。滴下後のTMAH現像液の接触角低下を監視した。TMAH現像剤の拡散係数cSは,時間が経過するにつれて徐々に減少する。特に,静電容量の変化は,時間経過の関数としてのTMAH現像剤の侵入を明確に示している。これらの侵入の動的測定は,ポリマー材料について液体侵入機構を解析するのに有効である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  材料 ,  *固体素子 ,  ノボラック ,  絶縁膜 ,  計測 ,  現像液 ,  電気測定 ,  MIS構造 ,  屈折率 ,  拡散係数 ,  現場測定 ,  キャパシタンス測定
準シソーラス用語： レジスト材料 ,  *固体デバイス ,  in-situ計測 ,  静電容量計測

著者キーワード (10件)： liquid intrusion ,  TMAH developer ,  photoresist ,  MIS structure ,  C-V curve ,  dielectric constant ,  refractive index ,  contact angle ,  spreading coefficient ,  in-situ monitoring

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (22件)：

• 1. K. Itoh, K. Kasama, K. Yamanaka, T. Ohfuji, H. Nose, NEC Res. Develop., 33 (1992) 15.
• 2. D. Ralph, R. Arnost, Polymeric Mater. Sci. Eng., 68 (1993).
• 3. J. Ngunjiri, G. Meyers, J. Cameron, Y. Suzuki, H. Jeon, D. Lee, K. Mo Choi, J. W. Kim, K. Im, H. Lim, Proc. SPIE, 9779 (2016) 97790W.
• 4. A. Kawai, J. Photopolym. Sci. Technol., 17 (2004) 441.
• 5. A. Kawai, H. Nagata, M. Takata, Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) 3725.

タイトルに関連する用語 (4件)： レジスト膜 ,  TMAH ,  現像剤 ,  侵入