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J-GLOBAL ID：201702263554008323   整理番号：17A0777065

両面研磨におけるウェハとキャリアの接触を考慮したウェハ挙動の高精度解析手法の開発

Development of Highly Accurate Simulation Model of Wafer Behavior Considering Contact Between Wafer and Carrier during Double-Sided Lapping

著者 (4件)： 橋本洋平 (金沢大学) ,  近藤亮太 (金沢大学) ,  古本達明 (金沢大学) ,  細川晃 (金沢大学)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 83  号： 5  ページ： 433-438(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 両面研磨の理論化に有効なウエハ挙動の解析法を提案した。遊星運動を行っているウエハと上下の定盤及びキャリアの接触の厳密なモデルを構築し,ウエハに生じる力とモーメントの釣合いに着目したウエハ挙動解析法を開発した。この手法ではウエハとキャリアの接触に対して滑りと接触状態における定式化を行い,接触状態の変化を再現した。解析したウエハ挙動から,研磨中のウエハとキャリアの接触状態は滑りあり,無し,非接触と変化し,この変化に伴ってウエハの回転も変化することなどがわかった。

シソーラス用語： *両面 ,  キャリア ,  力 ,  モーメント ,  釣合 ,  解析モデル ,  接触 ,  滑り ,  定式化 ,  *研磨 ,  回転数 ,  シミュレーション ,  *ウエハ【IC】 ,  解析 ,  精度 ,  定盤
準シソーラス用語： 挙動解析 ,  高精度 ,  数値シミュレーション

著者キーワード (12件)： double-sided lapping ,  double-sided polishing ,  simulation ,  wafer behavior ,  rotational speed of wafer ,  carrier ,  double-sided lapping ,  double-sided polishing ,  simulation ,  wafer behavior ,  rotational speed of wafer ,  carrier

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• 1) B. E. Klamecki : Comparison of material removal rate models and experimental results for the double-sided polishing process, Journal of Materials Processing Technology, 109(2001), 248.
• 2) S. Lin, M. Wu : A study of the effects of polishing parameters on material removal rate and non-uniformity, International Journal of Machine Tools & Manufacture, <b>42</b>(2002), 99.
• 3) Y. Wang, L. Ku, S. Suo, Y. Dang, Z. Ge, Z. Yan, Q. Zhou : Finite element analysis on von Mises stress distributions of Si DSP, Materials Science in Semiconductor Processing, 16(2013), 165.
• 4) T. Kasai : A kinematic analysis of disk motion in a double sided polisher for chemical mechanical planarization (CMP), Tribology International, 41,2 (2008), 111.
• 5) 中川泰忠:両面研磨における摩擦距離のウエハ面内分布均一化のための加工条件最適化, 精密工学会誌, 72, 5 (2006) 641.

タイトルに関連する用語 (6件)： 両面研磨 ,  ウェハ ,  キャリア ,  挙動 ,  解析手法 ,  開発