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J-GLOBAL ID：201702264522738120   整理番号：17A1140750

VO₂/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ

著者 (8件)： 山本真人 (大阪大 産科研) ,  神吉輝夫 (大阪大 産科研) ,  服部梓 (大阪大 産科研) ,  野内亮 (大阪府大 工) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  上野啓司 (埼玉大 大学院) ,  田中秀和 (大阪大 産科研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A202-14  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  半導体薄膜 ,  *層 ,  *素子構造 ,  *トランジスタ ,  *金属-絶縁体転移 ,  電圧 ,  *スイッチング ,  パルスレーザ蒸着 ,  窒化ホウ素 ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  抵抗加熱 ,  硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  タングステン化合物
準シソーラス用語： *二酸化バナジウム ,  *原子層 ,  *ヘテロ構造 ,  ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  セレン化タングステン

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (5件)： VO2 ,  原子層 ,  ヘテロ構造 ,  スロープ ,  トランジスタ