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J-GLOBAL ID：201702264603301081   整理番号：17A0590383

LaおよびAl共ドープBiFeO₃エピタキシャル膜の成長と強誘電特性

Growth and ferroelectric properties of La and Al codoped BiFeO₃ epitaxial films

著者 (3件)： Izumi Hirokazu (Hyogo Prefectural Institute of Technology, Kobe, Hyogo 654-0037, Japan) ,  Yoshimura Takeshi (College of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Fujimura Norifumi (College of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 17  ページ： 174102-174102-6  発行年： 2017年05月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  *ランタン ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *薄膜 ,  薄膜成長 ,  *強誘電性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  結晶構造 ,  残留分極 ,  定数 ,  ヒステリシス ,  体積 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *エピタキシャル膜 ,  パルスレーザ堆積 ,  圧電定数 ,  格子体積 ,  *共ドーピング ,  *強誘電特性 ,  分極ヒステリシス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： La ,  Al ,  ドープ ,  BiFeO3 ,  エピタキシャル膜 ,  成長 ,  強誘電特性