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J-GLOBAL ID：201702264850530616   整理番号：17A0922567

Raman散乱で研究したGaN ナノ構造の表面フォノン

Surface Phonons Studied by Raman Scattering in GaN Nanostructures

著者 (6件)： SEKINE Tomoyuki (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KOMATSU Yuji (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  IWAYA Ryuji (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KUROE Haruhiko (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI Akihiko (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO Katsumi (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 86  号： 7  ページ： 074602.1-074602.7  発行年： 2017年07月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 規則正しく配列したGaNナノ壁とナノコラムにおける表面フォノン・ポラリトンからのRaman散乱を研究した。705cm^-1周辺の表面フォノン・モードはナノ壁の定間隔周期p = 355nm下で壁幅wを増やすことで減少し,そして,それは膜で消える。これは,隣接した壁上の彼らの間の相互作用が膜で選択規則を満たすように働くことを示唆する。ナノコラムの表面フォノン・ポラリトンからのRamanピークは,ナノ壁のそれより非常に広い。コラム直径dを減少させることでそれは強さで減少して,幅が増加し,そして,d= 75nmのとき,それは観察されない。この挙動は,円柱構造の円周上で,表面フォノン・ポラリトンの方位波数ベクトルの量子化に関して議論した。規則正しく配列したGaNナノコラムの表面フォノン・ポラリトンのRamanスペクトルを不規則に配列したもののFrohlichモードのそれと比較した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ナノ構造 ,  *表面フォノン ,  *Ramanスペクトル ,  ポラリトン ,  円柱 ,  規則

分類 (1件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

引用文献 (31件)：

• M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino, Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 187 (1997).
• M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L459 (1997).
• M. Yoshizawa, A. Kikuchi, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto, and K. Kishino, J. Cryst. Growth 189-190, 138 (1998).
• A. Kikuchi, M. Kawai, M. Tada, and K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1524 (2004).
• A. Kikuchi, T. Hoshino, S. Ishizawa, H. Sekiguchi, and K. Kishino, MRS Fall Meet., 2007, Q4.6.

タイトルに関連する用語 (5件)： Raman散乱 ,  研究 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  表面フォノン