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J-GLOBAL ID：201702266792791391   整理番号：17A1007072

近似分子モデルに基づくab initio分子軌道計算を用いるレジスト研究法

Resist Investigation Method using ab initio MO Calculation on basis of Approximation Molecular Model

著者 (4件)： Nagata Shohei (Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo) ,  Niihara Shota (Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo) ,  Harada Tetsuo (Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo) ,  Watanabe Takeo (Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 30  号： 5  ページ： 583-589(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVレジストの技術的な課題は,高分解能,高感度,低線端粗さ(LER)および低脱ガスである。これらの間では,トレードオフの関係があり,そして,これらの課題における最も重要な点は,高感度および低LERの同時達成である。高性能EUVレジストを効率的に開発するためには,EUVレジストの化学反応を理解することが必要である。かくて,著者らは,軟X線吸収分光法を用いてEUV化学反応を研究した。この方法において,吸収スペクトルは,化学結合に帰属できなかった多くの吸収ピークを有していた。これらの未知のピークの分析のためには,第1原理(いわゆる「ab initio」)を用いる分子軌道(MO)計算が,効果的な支援計算機方法であることが期待される。化学-構造-最適化が第1原理計算のために必要であるので,著者らは,配座空間における反応性活性分子の位置を捜し,レジスト化学構造を最適化し,そしてレジスト分子モデルを構築することができるMO計算ソフトウェアConflexを導入した。この最適化分子モデルに基づき,IRスペクトルを計算するために,MO計算ソフトウェアGaussianを実行した。実験および計算によって得られるIRスペクトルを比較することによって,いくつかのIRピークが化学グループに帰属でき,そして,化学結合の転換が示唆された。これらの結果から,MO計算は,レジスト材料の化学反応を分析するための能力を有することが確認された。このように,MO計算は高性能レジスト材料の開発を加速することができ,そしてそれは,「the internet of things」(物のインターネット)のための半導体素子のブレークスルーを助けるだろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  ab initio MO法 ,  解析モデル ,  *研究 ,  分子モデル ,  *フォトリソグラフィー ,  *分子軌道法 ,  赤外スペクトル ,  半導体素子
準シソーラス用語： *EUVレジスト ,  IRスペクトル ,  近似モデル ,  *計算機利用研究

著者キーワード (6件)： EUV resist ,  Ab initio ,  MO calculation ,  Gaussian ,  Conflex ,  Infrared spectroscopy

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

引用文献 (22件)：

• 1. H. Kinoshita, K. Kurihara, Y. Ishii, and Y. Torii, J. Vac. Sci. Technol. B, 7 (1989) 1648.
• 2. D. Mamezaki, M. Watanabe, T. Harada, and T. Watanabe, J. Photopolym. Sci. Technol., 29 (2016) 749.
• 3. A. Imamura, Y. Aoki, and K. Maekawa, J. Phys. Chem., 95 (1991) 5419.
• 4. T. Gowa Oyama, K. Enomoto, Y. Hosaka, A. Oshima, M. Washio, and S. Tagawa, App. Phys. Exp., 5 (2012) 036501.
• 5. H.-R. Dubal and M.Quack, J. Chem. Phys., 81 (1984) 3779.

タイトルに関連する用語 (5件)： 近似 ,  分子モデル ,  分子軌道計算 ,  レジスト ,  研究