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J-GLOBAL ID：201702268117131119   整理番号：17A1238006

大口径と小方向偏差を用いたGaN基板の開発【Powered by NICT】

Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation

著者 (7件)： Yoshida Takehiro (SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Imanishi Masayuki (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Kitamura Toshio (SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Otaka Kenji (SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Imade Mamoru (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Shibata Masatomo (SCIOCS, 880 Isagozawa, Hitachi, Ibaraki, 319-1418, Japan) ,  Mori Yusuke (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,「タイリング技術」により開発された直径175mmの非常に大きな自立GaN結晶を実証した。技術は水素化物気相エピタクシーにより成長させた厚いGaN層を持つ小多重シードウエハを統合する。知る限りでは,これは今まで報告された最大のGaN結晶である。その配向偏差は出発基板を用いることにより適用された個々の種子のそれと同じであることができ,それは高温接着剤のあるベース板の上にすべての種子を結合させることにより調製した。材料を選択するために必要であったScrupulous。さらに,高品質GaN基板,Naフラックス法により調製した結晶劣化を水素化物気相エピタクシーによるGaNを成長しないことができた。以上の結果の融合により,理想的なGaN基板を実現できる「タイリング技術」により開発された直径175mmの自立したGaN結晶の例。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶 ,  *大口径 ,  多重化 ,  ナトリウム ,  *窒化ガリウム ,  高温 ,  フラックス法 ,  タイル工事 ,  接着剤
準シソーラス用語： 高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶配向 ,  GaN ,  水素化物気相エピタクシー ,  界面欠陥 ,  基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 大口径 ,  偏差 ,  GaN ,  開発