文献

J-GLOBAL ID：201702273201481076   整理番号：17A1802649

高度にスピン偏極したCo₂FeSiホイスラー合金から多層グラフェンへのスピン注入

Spin injection into multilayer graphene from highly spin-polarized Co₂FeSi Heusler alloy

著者 (7件)： YAMAGUCHI Takehiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MORIYA Rai (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OKI Soichiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMADA Shinya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MASUBUCHI Satoru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HAMAYA Kohei (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MACHIDA Tomoki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 6  ページ： 063006.1-063006.3  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,横型スピンバルブデバイスにおける,高スピン偏極Co₂FeSi(CFS)Huesler電極からの多層グラフェン(MLG)への,電気スピン注入を実証した。剥離したMLGを,Si(111)基板上に成長させた予めパターン化されたエピタキシャルCFSワイヤ上に,ポリマー系転送方法で転写した。この方法により,MLGに接触した複数の単結晶CFS電極を製造することができた。CFSからMLGへの電気スピン注入は,非局所磁気抵抗(MR)測定によって検出された。430Ωの非局所スピン信号が観測された;これはグラフェンベースのデバイスで報告されたすべての非局所MR値の中で最大値であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スピン分極 ,  *ホイスラー合金 ,  *グラフェン ,  *注入 ,  *素子構造 ,  剥離 ,  移動 ,  磁気抵抗
準シソーラス用語： *多層グラフェン ,  *スピン注入 ,  *スピンバルブ ,  転送

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (28件)：

• K. S. Novoselov, Rev. Mod. Phys. 83, 837 (2011).
• A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Nature 499, 419 (2013).
• T. Georgiou, R. Jail, B. D. Belle, L. Britnell, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, Y.-J. Kim, A. Gholinia, S. J. Haigh, O. Makarovsky, L. Eaves, L. A. Ponomarenko, A. K. Geim, K. S. Novoselov, and A. Mishchenko, Nat. Nanotechnol. 8, 100 (2013).
• L. Wang, I. Meric, P. Y. Huang, Q. Gao, Y. Gao, H. Tran, T. Taniguchi, K. Watanabe, L. M. Campos, D. A. Muller, J. Guo, P. Kim, J. Hone, K. L. Shepard, and C. R. Dean, Science 342, 614 (2013).
• F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, and A. C. Ferrari, Nat. Photonics 4, 611 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： スピン偏極 ,  ホイスラー合金 ,  多層グラフェン ,  スピン注入