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J-GLOBAL ID：201702274742239911   整理番号：17A1802779

ポジティブトーンデキストリンレジスト材料を用いた電子ビームリソグラフィのためのエコフレンドリーエタノール現像可能プロセス

Ecofriendly ethanol-developable processes for electron beam lithography using positive-tone dextrin resist material

著者 (7件)： TAKEI Satoshi (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  SUGINO Naoto (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  HANABATA Makoto (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  OSHIMA Akihiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KASHIWAKURA Miki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAWA Seiichi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 7  ページ： 076502.1-076502.4  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,農業資源の利用とバイオマスの高度利用の観点から,親水性の高いポジティブトーンデキストリンレジスト材料をセルロース系アンダーレイヤ上に用いて,電子ビームリソグラフィー用のエコフレンドリーエタノール現像プロセスの解像限界を拡大することを目的とする。約1800μC/cm²の露光線量を有する20nmのホールおよび40nmのラインパターンの画像は,テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび有機溶剤を使用する一般的な現像プロセスの代わりに,環境に優しいエタノール現像可能プロセスによって形成された。ポジティブトーンデキストリンレジスト材料のCF₄エッチング選択性は,基準レジスト材料として使用されたポリメチルメタクリレートのCF₄エッチング選択性よりも約10%低かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レジスト ,  *電子ビームリソグラフィー ,  エッチング ,  *デキストリン ,  スピンコーティング ,  環境保全 ,  注意 ,  膜厚 ,  フロン
準シソーラス用語： ポジティブレジスト ,  エコフレンドリー

分類 (2件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

引用文献 (30件)：

• D. R. Herriott, J. Vac. Sci. Technol. 20, 781 (1982).
• T. Fujita, H. Nishihara, and J. Koyama, Opt. Lett. 7, 578 (1982).
• H. Ito and C. G. Willson, ACS Symp. Ser. 242, 11 (1984).
• S. Okazaki, F. Murai, O. Suga, H. Shiraishi, and S. Koibuchi, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 402 (1987).
• C.-C. Lin, C.-C. Yang, J. Ger, J.-F. Deng, and D.-Z. Hung, Clin. Toxicol. 48, 213 (2010).

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子ビームリソグラフィ ,  現像 ,  プロセス