Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ゲート型AlGaN/GaN MOS高電子移動度トランジスタにおける,電流線形性と動作安定性

NISHIGUCHI Kenya; KANEKI Syota; OZAKI Shiro; OZAKI Shiro; HASHIZUME Tamotsu

文献

J-GLOBAL ID：201702277753177750 整理番号：17A1811136

Al₂O₃ゲート型AlGaN/GaN MOS高電子移動度トランジスタにおける,電流線形性と動作安定性

Current linearity and operation stability in Al₂O₃-gate AlGaN/GaN MOS high electron mobility transistors

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資料名：
巻： 56 号： 10 ページ： 101001.1-101001.8 発行年： 2017年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

金属-酸化物-半導体(MOS)型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電流線形性と動作安定性を調べるために,300°Cの空気中でのバイアスアニーリングのある場合とない場合とで,Al₂O₃ゲート型MOS-HEMTを作製し特性を評価した。作製したままの(アニールをしていない)MOS-HEMTに比べ,バイアスアニールした素子は,順バイアス領域でもI_D-V_G曲線の直線性が改善され,最大ドレイン電流が増加する。バイアスアニール後により低いサブ閾値傾きが観測された。AlGaN/GaNヘテロ構造上に作製されたMOSダイオードに関する精密な容量-電圧分析より,バイアスアニーリングはAl₂O₃/AlGaN界面の状態密度を効果的に減少させることを見出した。これは伝導帯端近くのAlGaN表面ポテンシャルの効果的な改変へと導き,順バイアスにおいても2次元電子ガスが良くゲート制御される。さらに,バイアスアニールされたMOS HEMTは,順バイアスストレスを印加した後も小さな閾値シフトを示し,高い温度においても安定に動作する。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (72件)：

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T. Ueda, M. Ishida, T. Tanaka, and D. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100214 (2014).
T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
M. Kuzuhara and H. Tokuda, IEEE Trans. Electron Devices 62, 405 (2015).

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