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J-GLOBAL ID：201702277761798636   整理番号：17A1125329

HAXPES解析から評価したSi-MOS構造のための潜在的変化と化学結合の特徴【Powered by NICT】

Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis

著者 (7件)： Ohta Akio (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Ohta Akio (Institute for Advanced Research, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8601, Japan) ,  Murakami Hideki (National Institute of Technology, Kurume College, 1-1-1, Komorino, Kurume, Fukuoka 830-8555, Japan) ,  Ikeda Mitsuhisa (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Makihara Katsunori (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Ikenaga Eiji (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1-1, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan) ,  Miyazaki Seiichi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 80-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/SiO_2/Si MOS構造は,H終端Si(100)表面と電極形成の熱酸化により作製した,種々の印加バイアス条件下でのMOS構造の硬X線光電子分光法(HAXPES)測定は,MOS構造におけるバンドの曲がりとAu/SiO_2界面近傍の領域における化学結合特徴のような可能性のある分布を調べるために系統的に行った。また,Au電極,SiO_2,とSi基板に由来するHAXPES信号の測定されたエネルギー位置はSi基板のSiO_2厚さと不純物濃度を考慮した理想的なMOS構造の電位変化の計算結果と比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  *MOS構造 ,  不純物濃度 ,  熱酸化 ,  スペクトロスコピー ,  電位 ,  バイアス ,  電位分布 ,  金 ,  *化学結合 ,  硬X線 ,  シリコンウエハ ,  印加電圧 ,  シリコン(100) ,  *硬X線光電子分光

著者キーワード (4件)： 硬X線光電子放出分光法(HAXPES) ,  MOS構造 ,  化学結合特性 ,  電位分布

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： HAXPES ,  解析 ,  評価 ,  Si ,  MOS構造 ,  化学結合