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J-GLOBAL ID：201702279598595350   整理番号：17A1802712

GaN基板上に形成されたMg注入GaN層中の緑色発光と非発光再結合中心の共通要素である窒素空孔

Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate

著者 (10件)： KOJIMA Kazunobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKASHIMA Shinya (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  EDO Masaharu (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  UENO Katsunori (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI Tokio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ISHIBASHI Shoji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  UEDONO Akira (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  CHICHIBU Shigefusa F. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHICHIBU Shigefusa F. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 6  ページ： 061002.1-061002.4  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入(I/I)およびエピタキシャルMgドープGaN(GaN:Mg)のフォトルミネセンスを比較する。I/I GaN:MgのMgGaアクセプターに関連するバンド端近傍および紫外線ルミネセンスの強度および寿命は,それぞれエピ層のそれより有意に低く短かった。同時に,緑色発光(GL)が支配的になった。これらの発光は室温よりはるかに低い温度で消光された。この結果は,I/IによってGLおよび非放射性再結合センター(NRC)に共通の点欠陥の発生を示す。 陽電子消滅測定の結果を考慮すると,N空孔が,GLを放出し,Ga空孔(VGa)m(VN)nを有するNRCを生成し,p型伝導を阻害する重要な候補である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  *発光 ,  緑 ,  再結合 ,  無放射遷移 ,  *再結合中心 ,  *空格子点 ,  窒素 ,  MOCVD ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 緑色発光 ,  非発光再結合 ,  窒素空孔中心

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

引用文献 (37件)：

• Y. Saitoh, K. Sumiyoshi, M. Okada, T. Horii, T. Miyazaki, H. Shiomi, M. Ueno, K. Katayama, M. Kiyama, and T. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 081001 (2010).
• J. Koln?k, ?. H. O?uzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, and Y. Wang, J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995).
• D. Shibata, R. Kajitani, M. Ogawa, K. Tanaka, S. Tamura, T. Hatsuda, M. Ishida, and T. Ueda, IEDM Tech. Dig., 2016, p. 248.
• S. Chowdhury, B. L. Swenson, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 29, 543 (2008).
• J. I. Pankove and J. A. Hutchby, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976).

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  Mg ,  注入 ,  緑色発光 ,  非発光再結合 ,  要素 ,  窒素 ,  空孔