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J-GLOBAL ID:201702280172937702   整理番号:17A0243235

半導体多層薄膜を使った結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子

Novel Terahertz Light Emitting Devices Based on a Semiconductor Coupled Multilayer Cavity
著者 (3件):
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巻: 116  号: 430(EID2016 31-47)  ページ: 33-36  発行年: 2017年01月19日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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3つのブラッグ反射多層膜と2つの等価な共振器層で構成する化合物半導体多層膜結合共振器を使った新しいテラヘルツ発光素子を提案している。室温動作の面型素子で,近赤外で発光する量子構造を含む共振器層への電流注入により二波長レーザ発振を実現するとともに,同一薄膜構造内での二次非線形光学応答によってテラヘルツ帯の差周波を発生する。本報告では,ウエハ接合による分極制御がテラヘルツ波発生の高効率化に有効であることを示すとともに,テラヘルツ発光素子の基本となる電流注入での赤外二波長レーザ発振特性を紹介する。(著者抄録)
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分類 (1件):
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発光素子 
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