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J-GLOBAL ID：201702280238886428   整理番号：17A0151789

ネガ型フォトリソグラフィー用の透明で可視非感光性アクリルフォトレジス

Transparent and visible light-insensitive acrylic photoresist for negative tone optical lithography

著者 (3件)： Carbaugh Daniel J. (School of Electrical Engineering and Computer Science, Russ College of Engineering and Technology, Ohio University, Athens, Ohio 45701) ,  Kaya Savas (School of Electrical Engineering and Computer Science, Russ College of Engineering and Technology, Ohio University, Athens, Ohio 45701) ,  Rahman Faiz (School of Electrical Engineering and Computer Science, Russ College of Engineering and Technology, Ohio University, Athens, Ohio 45701)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 011601-011601-8  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ポリメチルメタクリレート(PMMA)の紫外線(UV)誘起架橋に基づく最適化ネガ型レジストを検討した。この単純なレジストはPMMAと光架橋剤(Igacure379)を乳酸エチルに溶解して製造した。Irgacureにi線(365nm波長)を照射するとPMMAを架橋する。しかし,これより長い波長を吸収しないので,このレジストは可視光に不感である。優れた光透過性とPMMAの高解像度能力により,このレジスト系は多くの用途に役立つ。ドライエッチング中のPMMAの耐食性は低いが,このレジストはパターン形成後のブランケットUV露光処理によりプラズマ耐食性を向上させ得る。さらに,このレジストシステムは,電子ビームリソグラフィーによるパターン形成が容易なPMMAおよび類似のアクリルポリマーに基づいており,同じレジスト膜上のフォトリソグラフィーと電子ビームリソグラフィーを組合わせたプロセスにも利用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ドライエッチング ,  耐食性 ,  パターン形成 ,  紫外線照射 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *フォトレジスト ,  架橋剤
準シソーラス用語： アクリル ,  *ネガ型レジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ネガ ,  フォトリソグラフィー ,  感光性