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J-GLOBAL ID：201702281680636459   整理番号：17A0605016

GaN基板のプラズマ融合CMP技術-エタノールバブリング・Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価-

Plasma fusion CMP technology for GaN substrates-Evaluation of processing characteristics for plasma fusion CMP using Ar plasma and ethanol bubbling-

著者 (11件)： 山崎直樹 (九大) ,  山崎直樹 (並木精密宝石) ,  土肥俊郎 (九大) ,  會田英雄 (九大) ,  會田英雄 (並木精密宝石) ,  KIM Seongwoo (並木精密宝石) ,  大山幸希 (並木精密宝石) ,  黒河周平 (九大) ,  佐野泰久 (大阪大) ,  白谷正治 (九大) ,  山西陽子 (九大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 7(SDM2017 1-8)  ページ： 19-23  発行年： 2017年04月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 難加工材料であるSiC基板,GaN基板,ダイヤモンド基板の高能率加工に向けプラズマ融合CMPを考案・開発した。本稿では,加工コスト削減を目指し,プラズマ融合CMPのプラズマ発生用ガスに対して,従来用いていたHeガスからArガスへの置換を試みた。エタノールバブリングとArガスを併用した結果,Heガス総量の半分をArガスへ置換することに成功し,ガスコストを4割削減することが出来たと同時に,GaN基板の高能率加工の実現にも成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *化学機械研磨 ,  *プラズマ ,  *アルゴン ,  バブリング【化学装置】 ,  原価 ,  加工速度 ,  *RFプラズマ ,  *機械工作 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *Ar ,  *CMP【化学研磨】 ,  GaN ,  コスト

分類 (3件)： 研削  (QC03000R) ,  特殊加工  (QC04000Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： エタノール

引用文献 (4件)：

• 土肥ら,「究極デバイスとしてのダイヤモンド基板の革新的超精密加工プロセスへのブレークスルー」,ニュースレターNo.5総集編
• 大山,土肥ら,「革新的CMP/IP-CVM融合加工装置の設計・試作(第11報)」2016年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集.pp.379-380.
• 橘ら,「大気圧プラズマ 基礎と応用」オーム社(2009),pp.57-117.
• H. Aida, T.K. Doi, et al., ′′Progress and Challenges for Chemical Mechanical Polishing of Gallium Nitride′′, Master.Res.Soc.Symp.Proc. Vol. 1560(2013)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  プラズマ ,  融合 ,  CMP ,  エタノール ,  バブリング ,  Ar ,  評価