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J-GLOBAL ID：201702284625286787   整理番号：17A0271865

Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製したハフニウムシリサイドおよび酸化ハフニウム超薄膜の界面を選別した局所価電子状態

著者 (4件)： 垣内拓大 (愛媛大 理) ,  池田恭平 (愛媛大 理) ,  間瀬一彦 (高エネルギー加速器研究機構 物質構造科研) ,  間瀬一彦 (総合研究大学院大)
資料名： KEK Progress Report (Web)  (KEK Progress Report (Web))
号： 2016-8  ページ： ROMBUNNO.88 (WEB ONLY)  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： U0583A  ISSN： 1344-6320  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  ドメイン ,  作製 ,  ハフニウム ,  シリサイド ,  酸化ハフニウム ,  超薄膜 ,  界面 ,  選別