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J-GLOBAL ID：201702286154547555   整理番号：17A1220849

プラズマ増強化学気相成長によるSi基板上の窒素ドープダイヤモンド状カーボン膜の構造,電気特性,および電流-電圧特性

Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

著者 (12件)： TSUCHIYA Masato (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  MURAKAMI Kazuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  MAGARA Kohei (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAMURA Kazuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  OHASHI Haruka (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TOKUDA Kengo (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAKAMI Takahiro (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  OGASAWARA Haruka (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  ENTA Yoshiharu (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  SUZUKI Yushi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  ANDO Satoshi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 6  ページ： 065502.1-065502.6  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等は,CH₄,N₂,およびArを用いたプラズマ増強化学気相成長により,窒素ドープダイヤモンド状カーボン(N-DLC)膜を堆積し,N-DLC膜の構造特性,電気的特性,機械的特性,および光学的特性に及ぼすNドーピングの影響を調べた。未ドープDLC/p-SiおよびN-DLC/p-Siヘテロ接合を作製し,ヘテロ接合の電流-電圧特性を調べた。N₂の流量比を0から3.64%に増加した場合,抵抗率は,10⁵Ω・cmから10^-2Ω・cmの桁まで著しく減少し,内部応力も減少した。3.64%から13.6%までのN₂流量比の増加に従い,抵抗率は,徐々に増加し,その後,13.6%のN₂流量比で減少した。これらの挙動は,sp²炭素のクラスタ化およびsp³C-N,sp²C=N,sp¹C≡N,およびC-H_n結合の形成に関して説明することができる。3.64%で形成したN-DLC膜を用いたヘテロ接合の整流比は,±0.5Vで35.8であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  ウエハ【IC】 ,  *ドーピング ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  *薄膜 ,  *構造特性 ,  *電気的性質 ,  *機械的性質 ,  *光学的性質 ,  *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  比率 ,  電気抵抗率 ,  内部応力 ,  クラスタ化 ,  流量比 ,  シリコンウエハ ,  *窒素ドーピング ,  *性質 ,  改変
準シソーラス用語： *プラズマ増強化学蒸着 ,  Si基板 ,  *窒素ドープ ,  *ダイヤモンド状カーボン ,  *電気的特性 ,  *機械的特性 ,  *光学的特性 ,  抵抗率 ,  整流比

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (36件)：

• M. Umeno and S. Adhikary, Diamond Relat. Mater. 14, 1973 (2005).
• P. Paredez, M. E. H. Maia da Costa, L. F. Zagonel, C. T. M. Ribero, and F. Alvarez, Carbon 45, 2678 (2007).
• H. Sj?str?m, S. Stafstr?m, M. Boman, and J.-E. Sundgren, Phys. Rev. Lett. 75, 1336 (1995).
• H. Ito, K. Hori, and H. Saitoh, J. Non-Cryst. Solids 352, 1 (2006).
• K. Kato, N. Umehara, and K. Adachi, Wear 254, 1062 (2003).

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  増強 ,  化学気相成長 ,  Si基板 ,  窒素ドープ ,  ダイヤモンド状カーボン ,  電気特性 ,  電圧特性