III-Vオンインシュレータウェハ上に形成された横型PN接合を有するキャリア空乏型InGaAsP光変調器の数値解析

SEKINE Naoki; SEKINE Naoki; HAN Jae-Hoon; HAN Jae-Hoon; TAKAGI Shinichi; TAKENAKA Mitsuru; TAKENAKA Mitsuru

文献

J-GLOBAL ID：201702290424923818 整理番号：17A0955257

III-Vオンインシュレータウェハ上に形成された横型PN接合を有するキャリア空乏型InGaAsP光変調器の数値解析

Numerical analysis of carrier-depletion InGaAsP optical modulator with lateral PN junction formed on III-V-on-insulator wafer

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 56 号： 4S ページ： 04CH09.1-04CH09.5 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

III-V-オン-インシュレータ(III-V-OI)ウェハ上に作成した横型PN接合を有するキャリア空乏InGaAsP光変調器の変調特性を数値的に調べた。InGaAsPの電子誘起屈折率変化が大きいことから,PN接合のドーピング濃度が2×10¹⁸cm^-3のInGaAsP光変調器では,位相変調効率V_πLが0.17Vcmであり,この値は同じ構造のSi変調器の六分の一である。ドーピング濃度依存性により,挿入損失αとV_πLの積であるαV_πLは,ドーピング濃度が1×10¹⁸cm^-3と高い場合,InGaAsPを用いて大幅に改善できることが明らかになった。横型PN接合を有するキャリア空乏型光変調器には,Siの代わりにInGaAsPを用いる事で,位相変調効率と挿入損失を同時に改善できると結論した。(翻訳著者抄録)

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光変調器

引用文献 (30件)：

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