特許
J-GLOBAL ID：201703000048567116
クロスバンプ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-093030
公開番号（公開出願番号）：特開2017-201664
出願日： 2016年05月06日
公開日（公表日）： 2017年11月09日
要約：
【課題】 熱膨張係数の異なる半導体チップ同士を高密度でバンプ接続するために、プロセス再現性が良く、常温接合が可能で、半導体表面での応力集中が少なく、変形に必要は荷重の小さい微少金属バンプ形状を考案する。【解決手段】 対向する2つの半導体チップに、一辺を伸張したバー状の金属バンプを形成し、それぞれのバー状の金属バンプを直交させて接合する。バンプ接合時の接触面積は、バー状バンプの短辺の自乗となり、接触面積が従来より小さくなり、接合に必要な荷重が低減される。また対向するチップにそれぞれバンプを設けるので、接合時のチップ表面の応力が緩和され、バンプの高さが、従来構造の円錐バンプの倍になり、バンプ底辺の面積に比べて相対的にバンプ高さが高くなため、従来構造よりも変形量が大きく相対的に柔らかい高密度バンプ接合が実現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子を相互接続するための金属バンプにおいて、バンプがバー状に形成されており、対向する1対のバンプが互いに直交するように接合することを特徴とするバンプおよびバンプ接合方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 602G
, H01L21/60 311S
, H01L21/92 604B
