特許
J-GLOBAL ID：201703000472138802
シリコン単結晶材料の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170917
公開番号（公開出願番号）：特開2015-040142
特許番号：特許第6167752号
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 スパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料の製造方法であって、
チョクラルスキー法により抵抗率が10〜50Ωcmのシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を厚さ5〜50mmに切り出して、ドナーキラー熱処理を行わずに、抵抗率を目標抵抗率の±10%の範囲内に制御するものであって、
前記抵抗率を目標抵抗率の±10%の範囲内に制御する方法として、前記チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げで、格子間酸素濃度が6.6〜10×1017atoms/cm3(ASTM’79)のものを引き上げるか、又は、前記チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げで、格子間酸素濃度が10〜13×1017atoms/cm3(ASTM’79)のものを引き上げ、前記シリコン単結晶の切り出しは、直胴部下端から上方に直胴の長さ比で20%の位置までの領域から切り出すことを特徴とするシリコン単結晶材料の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/00 ( 200 6.01)
C30B 29/06 A
, C30B 29/06 502 H
, C30B 15/00 Z
