半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：新居広守 , 寺谷英作 , 道坂伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-503744
特許番号：特許第6156748号
出願日： 2013年02月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体材料からなる基板の一主面の一部分の上に、p型半導体層を形成するp型半導体層形成工程と、前記p型半導体層の上を含め、前記基板の一主面の上にn型半導体層を形成する工程と、前記n型半導体層の前記p型半導体層の上に位置する部分の少なくとも一部をアルカリエッチング液を用いてエッチングして、前記p型半導体層を露出する工程と、を備え、前記n型半導体層を形成する工程において、前記一主面のうちの前記p型半導体層が形成された領域を除く領域における、前記一主面と前記n型半導体層の上面との間に形成された層の数と、前記一主面のうちの前記p型半導体層が形成された領域における、前記p型半導体層の上面と前記n型半導体層の上面との間に形成された層の数とが同じである、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：