特許
J-GLOBAL ID：201703001232065146
多層酸窒化物層を有する酸化物-窒化物-酸化物積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉村 憲司
, 山口 雄輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-123646
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197732
出願日： 2016年06月22日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：
【課題】シリコン-酸化物-酸窒化物-酸化物-シリコン構造を含む半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体デバイス200は、シリコンを含む基板208の表面上のトンネル酸化物層216と、トンネル酸化物216層上にあって殆どトラップを生じない化学量論的組成を有する酸素リッチな下部酸窒化物層220B及び下部酸窒化物層220B上にあって高密度のトラップを生じる化学量論的組成を有する酸素リーンな上部酸窒化物層220Aを含む多層電化蓄積層204と、第2の酸窒化物層220A上の阻止酸化物層218と、阻止酸化物層218上のシリコン含有ゲート層214と、を備える半導体デバイス。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコンを含む基板の表面上のトンネル酸化物層と、
前記トンネル酸化物層上にあって殆どトラップを生じない化学量論的組成を有する酸素
リッチな第1の酸窒化物層及び前記第1の酸窒化物層上にあって高密度のトラップを生じ
る化学量論的組成を有する酸素リーンな第2の酸窒化物層を含む多層電化蓄積層と、
前記第2の酸窒化物層上の阻止酸化物層と、
前記阻止酸化物層上のシリコン含有ゲート層と、
を備える、シリコン-酸化物-酸窒化物-酸化物-シリコン構造。
IPC (6件)：
H01L 21/336
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/824
, H01L 27/115
, H01L 21/318
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
, H01L21/318 C
