特許

J-GLOBAL ID：201703001377020426

半導体装置の製造方法

発明者： 高島 信也 ,  田中 亮 ,  上野 勝典 ,  江戸 雅晴
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-099208
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208427
出願日： 2016年05月18日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】p型不純物をドープしたGaNを例えば1400°Cから1500°Cの温度でアニールする場合には、1GPaから1.45GPa(即ち、10000barから14500bar)程度の高圧力を発生させる大掛かりな装置が必要となる。このような高圧力は、半導体装置のアニールにおいて現実的ではない。【解決手段】化合物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、おもて面の少なくとも一部に不純物がドープされた化合物半導体層のおもて面上に保護膜を設ける段階と、熱処理する段階の最高温度における化合物半導体層の分解抑制圧力よりも上限値が低く、下限値が5MPa以上である圧力条件下において、化合物半導体層を熱処理する段階とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

化合物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、 おもて面の少なくとも一部に不純物がドープされた前記化合物半導体層の前記おもて面上に保護膜を設ける段階と、 熱処理する段階の最高温度における前記化合物半導体層の分解抑制圧力よりも上限値が低く、下限値が5MPa以上である圧力条件下において、前記化合物半導体層を熱処理する段階と を備える 半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12

FI (5件)：

H01L21/265 601A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 658E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• p型及びn型電気伝導性の半導体窒素化合物A▲下3▼B▲下5▼の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-502188   出願人：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-175957   出願人：富士電機株式会社
• 連続注入および熱処理によってGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行うための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-187787   出願人：コミサリアアレネルジーアトミックエオゼネルジーアルテルナティブ
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357046   出願人：日亜化学工業株式会社