特許
J-GLOBAL ID：201703001634880466
半導体装置、表示装置および電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-067983
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192418
特許番号：特許第6111458号
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、
低抵抗領域と、前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる重畳領域と、前記低抵抗領域と前記重畳領域との間の離間領域とを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の重畳領域を覆うチャネル保護膜と、
前記チャネル保護膜の側面を覆う側壁とを含む
トランジスタを備えた
半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 M
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 21/28 301 R
, H05B 33/14 A
, G02F 1/136
, H01L 21/28 301 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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