特許

J-GLOBAL ID：201703001742849168

半導体装置

発明者： 三宅 博之
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-183770
公開番号（公開出願番号）：特開2017-011295
出願日： 2016年09月21日
公開日（公表日）： 2017年01月12日
要約：

【課題】信頼性の高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供することを目的の一とする。フォトリソグラフィ工程を削減し、より高い生産性で歩留まり良く半導体装置を提供する。【解決手段】第1配線と、第2配線と、第1配線及び第2配線の間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線とを有し、第1配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第1トランジスタを介して電気的に接続され、第2配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第2トランジスタを介して電気的に接続され、第1配線、第2配線、第3配線の上方又は下方には、第1トランジスタ及び第2トランジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、 前記第1の導電層上の絶縁層と、 前記絶縁層上の金属酸化物と、 前記金属酸化物上の第2の導電層と、を有し、 前記絶縁層は、トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、 前記金属酸化物は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、 前記絶縁層は、第1のコンタクトホールを有し、 前記金属酸化物は、第2のコンタクトホールを有し、 前記第1のコンタクトホールは、前記第2のコンタクトホールと重なる領域を有し、 前記第2の導電層は、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールを介して、前記第1の導電層と前記的に接続され、 前記第2の導電層は、前記第1のコンタクトホールの側面及び前記第2のコンタクトホールの側面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14

FI (8件)：

H01L29/78 621 ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 102C ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z

Fターム (88件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB12 ,  2H192CB37 ,  2H192CB44 ,  2H192DA12 ,  2H192DA44 ,  2H192FA73 ,  2H192FB03 ,  2H192FB22 ,  2H192FB27 ,  2H192FB33 ,  2H192FB46 ,  2H192HA47 ,  2H192HA90 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC29 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN63 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-243798   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229350   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-244086   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229211   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229226   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所