表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229350
公開番号（公開出願番号）：特開2010-113346
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と重畳する第1酸化物半導体層と、第1酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、第1酸化物半導体層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層と第2酸化物半導体層が積層された第1配線層及び第2配線層とを有する非線形素子を用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極を走査線又は信号線と接続し、ゲート電極の電位を印加するための非線形素子の第1配線層又は第2配線層とゲート電極の接続を直接接続することで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積の縮小を図る。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に走査線と信号線が交差して設けられ、画素電極がマトリクス状に配列する画素部を有する表示装置であって、前記画素部は、第1酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、前記走査線と接続するゲート電極と、前記信号線と接続し前記第1酸化物半導体層に接する第1配線層と、前記画素電極と接続し前記第1酸化物半導体層に接する第2配線層とを有し、前記基板の周辺部に配設される信号入力端子と前記画素部の間には、非線形素子が設けられ、前記非線形素子は、ゲート電極及び該ゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上において前記ゲート電極と重畳する第1酸化物半導体層と、前記第1酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、前記チャネル保護層上において前記ゲート電極と端部が重畳し、導電層と第2酸化物半導体層が積層された第1配線層及び第2配線層とを有し、前記第1配線層及び第2配線層の導電層が前記第2酸化物半導体層を介して前記第1酸化物半導体層と接し、前記非線形素子のゲート電極は前記走査線又は前記信号線と接続され、前記非線形素子の第1配線層又は第2配線層が、前記ゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極もしくはゲート電極と同じ層で形成した配線と直接接続されていることを特徴とする表示装置。

IPC (6件)：

G09F 9/30 , H01L 29/786 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (7件)：

G09F9/30 330Z , H01L29/78 623A , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L27/04 H , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (120件)：

2H092GA25 , 2H092GA29 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092HA04 , 2H092HA25 , 2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA39 , 2H092JA46 , 2H092JB27 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092JB79 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA14 , 2H092NA17 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 2H092QA09 , 2H092QA13 , 2H092QA14 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107DD39 , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 3K107HH03 , 3K107HH05 , 5C094AA15 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094HA08 , 5C094HA10 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038EZ01 , 5F038EZ20 , 5F110AA04 , 5F110AA22 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-284538 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
静電気防止回路を有する薄膜トランジスタアレイ及び液晶表示装置の駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-001724 出願人：エルジー電子株式会社
液晶表示基板および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-109003 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

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