特許
J-GLOBAL ID:201703001749802817
ナノ結晶コア及び絶縁コートを有するナノ結晶シェルを有する半導体構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 原 裕子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-541055
特許番号:特許第6161620号
出願日: 2012年09月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第一の半導体材料を含み、アスペクト比が1.0〜2.0の間の、但し1.0及び2.0を含まない、異方性ナノ結晶コア、
異方性ナノ結晶コアを少なくとも部分的に取り囲む第二の、異なる半導体材料を含むナノ結晶シェルであって、異方性ナノ結晶コアとナノ結晶シェルとが量子ドットを形成し、ナノ結晶シェルは短軸を有し、異方性ナノ結晶コアは該短軸方向に中心からずれて配置され、ナノ結晶シェルは短軸と直交する長軸を有し、異方性ナノ結晶コアはさらに該長軸方向に中心からずれて配置される、ナノ結晶シェル、及び
ナノ結晶シェル及び異方性ナノ結晶コアを封止する絶縁層、
を含む半導体構造。
IPC (5件):
H01L 33/50 ( 201 0.01)
, C09K 11/08 ( 200 6.01)
, C09K 11/54 ( 200 6.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, B82Y 20/00 ( 201 1.01)
FI (5件):
H01L 33/50
, C09K 11/08 G
, C09K 11/54 CPA
, B82Y 40/00
, B82Y 20/00
引用特許:
引用文献:
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