特許

J-GLOBAL ID：201703001859758694

表示装置

発明者： 小山 潤 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-145128
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219824
出願日： 2016年07月25日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料を用いて高移動度のトランジスタを形成し、それを用いて同一基板上にドライバ回路を形成する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

トランジスタは、 ゲート電極と、 前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、 前記ソース電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、 前記ドレイン電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、 前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極の上面と重なる第1の領域と、第2の領域とを有し、 前記第2の領域の前記酸化物半導体層の表面は、傾斜しており、 前記第1の領域は、第1の結晶を有し、 前記第2の領域は、第2の結晶を有し、 前記第1の結晶は、前記酸化物半導体層の表面に対して、垂直な方向に沿うように配向したc軸を有し、 前記第2の結晶は、前記傾斜した酸化物半導体層の表面に対して、垂直な方向に沿うように配向したc軸を有することを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14

FI (8件)：

H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z

Fターム (98件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192CC04 ,  2H192EA67 ,  2H192EA74 ,  2H192FA73 ,  2H192FB03 ,  2H192FB05 ,  2H192FB33 ,  2H192HA13 ,  2H192HA44 ,  2H192HA82 ,  2H192HA90 ,  2H192JA06 ,  2H192JA13 ,  2H192JA17 ,  2H192JA24 ,  2H192JA25 ,  2H192JA32 ,  2H192JA64 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC33 ,  3K107CC42 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107HH02 ,  3K107HH05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP22 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-320678   出願人：富士フイルム株式会社
• 電子素子及び電子素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-121932   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 発光装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-036044   出願人：キヤノン株式会社
• 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-126860   出願人：キヤノン株式会社
• 電界効果トランジスタ及び相補型電界効果トランジスタ並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-382257   出願人：松下電器産業株式会社