特許
J-GLOBAL ID：201703001927047378

歪みGeフィン構造の製造方法

発明者：
バンジャマン・ヴァンサン

バンジャマン・ヴァンサン について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-174538
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096565
特許番号：特許第6204749号
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 1つ又はそれ以上の半導体フィン構造(15)を製造する方法であって、 ・1つ又はそれ以上の細長い構造(7)を基板上に製造するステップであって、前記構造は、2つの異なる半導体材料の合金からなり、前記構造の一部が、前記基板上に存在する絶縁層の表面(10,14)に対して外側に延びており、前記構造の上側部分(8’,9)が、緩和した無欠陥の合金材料からなるステップと、 ・前記構造(7)を酸化工程に曝して、前記構造を下記のものに変換するステップと、 ・前記半導体合金で形成されたベース部分(16)と、歪み条件で前記2つの半導体材料のうちの第1材料で形成された上側部分(17)とを備えた1つ又はそれ以上のフィン(15)であって、前記上側部分は、前記第1材料の凝縮によって形成されたフィン(15)。 ・前記フィン(15)を覆い、前記2つの半導体材料のうちの第2材料からなる酸化物層(18)であって、前記第2材料の酸化によって形成された酸化物層(18)。 ・前記絶縁層の前記表面(10,14)の上方に延びる第2半導体材料からなる前記酸化物層(18)の一部を除去するステップであって、これにより、前記合金材料のベース部分(16)の上に、歪み条件で前記第1材料からなる上側部分(17)を備える前記1つ又はそれ以上のフィン構造(15)を製造するステップと、を含み、 前記1つ又はそれ以上の細長い構造(7)を製造するステップは、 ・1つ又はそれ以上のフィン状エリア(2)を表面に有し、前記フィン状エリアの間のスペースを充填する絶縁エリア(3)を備えた基板(1)を用意または製造するステップと、 ・前記フィン状エリア(2)から基板材料を除去し、これにより前記絶縁エリア(3)の間にトレンチ(4)を生成するステップと、 ・前記トレンチ内で転位のアスペクト比トラッピングを可能にする手法によって、前記半導体合金を前記トレンチ(4)内で成長させ、これにより前記トレンチの上側部分(8’)および、前記トレンチ(4)の各々の上側エッジを過成長させたマッシュルーム形状の部分(9)において、緩和した無欠陥の半導体合金材料を得るステップと、 ・前記絶縁エリア(3)の上側部分を除去して、前記マッシュルーム形状の部分が得られ、そして、前記絶縁エリア(3)または前記絶縁エリア(3)の残部の表面(14,10)に対して外側に延びる、前記緩和した無欠陥の上側部分(8’)の少なくとも一部が得られるステップと、をこの順序で含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 29/66 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06 601 W ,  C30B 29/66 ,  H01L 29/78 301 X
引用特許：
審査官引用 (4件)
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