特許
J-GLOBAL ID：201103097516135490
高ゲルマニウム濃度のSiGeストレッサの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-169487
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044706
出願日： 2010年07月28日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：
【課題】SiGeストレッサの形成方法と集積回路のトランジスタ構造を提供する。【解決手段】SiGeストレッサを形成する方法であって、前記方法は、ソース領域とドレイン領域間にチャネルを有する半導体基板上のソース領域とドレイン領域の少なくとも1つに第1SiGe層を堆積するステップ、及び前記第1SiGe層の上部を酸化層に変換し、前記第1SiGe層の底部を第2SiGe層に変換するステップを含み、前記第2SiGe層は、前記第1SiGe層より高いGe濃度を有する方法。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
SiGeストレッサを形成する方法であって、前記方法は、
ソース領域とドレイン領域間にチャネルを有する半導体基板上のソース領域とドレイン領域の少なくとも1つに第1SiGe層を堆積するステップ、及び
前記第1SiGe層の上部を酸化層に変換し、前記第1SiGe層の底部を第2SiGe層に変換するステップを含み、
前記第2SiGe層は、前記第1SiGe層より高いGe濃度を有する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 301S
, H01L21/20
, H01L29/78 301X
5F140AA01
, 5F140AA40
, 5F140AC28
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BA05
, 5F140BA16
, 5F140BA17
, 5F140BB05
, 5F140BG08
, 5F140BH05
, 5F140BH06
, 5F140BH27
, 5F140BK08
, 5F140BK11
, 5F140CB04
, 5F152LM09
, 5F152LN07
, 5F152MM04
, 5F152NN03
, 5F152NQ03
, 5F152NQ04
