特許

J-GLOBAL ID：201703001936761148

金属ナノ粒子生成装置、及び金属ナノ粒子ガスデポジション装置

発明者： 青柳 昌宏 ,  仲川 博 ,  渡辺 直也 ,  菊地 克弥 ,  根本 俊介 ,  五味 善宏 ,  斉藤 伊織
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  ミクナスファインエンジニアリング株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  小澁 高弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-080231
公開番号（公開出願番号）：特開2016-204751
出願日： 2016年04月13日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：

【課題】装置の大型化や消費電力の増大を抑制することのできる金属ナノ粒子生成装置、及び金属ナノ粒子ガスデポジション装置を提供する。【解決手段】成膜材料を収容する坩堝と、黒鉛抵抗体への電力供給により前記坩堝を加熱する黒鉛ヒータと、不活性ガスが外部から供給され、前記坩堝の加熱により蒸発した前記成膜材料の前記不活性ガス中での冷却により、前記成膜材料の金属ナノ粒子が生成されるナノ粒子生成室と、前記金属ナノ粒子を外部へ搬送する搬送管とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

成膜材料を収容する坩堝と、 黒鉛抵抗体への電力供給により前記坩堝を加熱する黒鉛ヒータと、 不活性ガスが外部から供給され、前記坩堝の加熱により蒸発した前記成膜材料の前記不活性ガス中での冷却により、前記成膜材料の金属ナノ粒子が生成されるナノ粒子生成室と、 前記金属ナノ粒子を外部へ搬送する搬送管と を備える金属ナノ粒子生成装置。

IPC (4件)：

C23C 14/00 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/22 ,  B82Y 40/00

FI (4件)：

C23C14/00 A ,  C23C14/14 D ,  C23C14/22 Z ,  B82Y40/00

Fターム (5件)：

4K029BA05 ,  4K029CA00 ,  4K029DB03 ,  4K029DB18 ,  4K029EA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置の製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307085   出願人：株式会社半導体理工学研究センター
• 超微粒子膜の生成方法および生成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-217365   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-160146
  
• 真空蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-297714   出願人：安達直祐

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307085   出願人：株式会社半導体理工学研究センター
• 超微粒子膜の生成方法および生成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-217365   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-160146
  
• 真空蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-297714   出願人：安達直祐