特許
J-GLOBAL ID：201703001953880223

基体の表面保護膜及び基体の表面保護膜の造膜方法

発明者：
緒方 四郎

緒方 四郎 について

, 
松井 義光

松井 義光 について


出願人/特許権者：
サスティナブル・テクノロジー株式会社

サスティナブル・テクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 佐藤 明子 ,  塩谷 享子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-091821
公開番号（公開出願番号）：特開2017-196595
出願日： 2016年04月28日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：
【課題】光の非照射時であっても、基体の表面に、絶縁状態と導電状態とのスイッチングを発現させ、基体表面近傍に浮遊する物質が有する帯電等の電気的特性を中性化することにより、基体表面への汚染物質の付着や吸着を防ぎ、合わせて基体表面を親水化することにより、基体の表面を保護する手段を提供する。【解決手段】本発明による基体の表面保護膜は、光半導体の粒子又は結晶体を含有し、該光半導体の粒子又は結晶体に酸素欠損が生成されていることを特徴とし、基体の表面電気抵抗を導電性を有する表面状態と絶縁性を有する表面状態とに周期的に変動させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光半導体の粒子又は結晶体を含有し、該光半導体の粒子又は結晶体に酸素欠損が生成されていることを特徴とする、基体の表面電気抵抗を導電性を有する表面状態と絶縁性を有する表面状態とに周期的に変動させる、基体の表面保護膜。
IPC (4件)：
B05D 5/00 ,  C01B 15/047 ,  B32B 9/00 ,  B08B 17/02
FI (4件)：
B05D5/00 H ,  C01B15/047 ,  B32B9/00 A ,  B08B17/02
Fターム (35件)：
3B117AA08 ,  4D075CA22 ,  4D075CA23 ,  4D075CA34 ,  4D075CA37 ,  4D075DB01 ,  4D075DB12 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB18 ,  4D075DB20 ,  4D075DB21 ,  4D075DB33 ,  4D075DB35 ,  4D075DB36 ,  4D075DB37 ,  4D075DB38 ,  4D075DB39 ,  4D075DB43 ,  4D075DB47 ,  4D075DB48 ,  4D075DB50 ,  4D075DB52 ,  4D075DB53 ,  4D075DB54 ,  4D075EC02 ,  4D075EC37 ,  4F100AA21 ,  4F100AG00 ,  4F100EH46 ,  4F100JB05 ,  4F100JG01 ,  4F100JG04 ,  4F100JG10 ,  4F100JL06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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