エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柏岡潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-101744
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208510
出願日： 2016年05月20日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】微細化した場合においても、エッチングにより凹部を形成できる技術を提供する。【解決手段】互いに異なる組成を有する複数のシリコン含有領域(第1領域R1,第2領域R2,...、第n領域Rn)を含む被処理体を、処理容器内に収容し、複数のシリコン含有領域R1,R2,R3のいずれか一つ以上を選択的にエッチングする方法であって、処理容器内において生成された処理ガスのプラズマにより、複数のシリコン含有領域R1,R2,R3のいずれか一つ以上の表面にエッチング補助層MLを形成する第1工程と、エッチング補助層MLにエネルギーを与える第2工程とを備え、エネルギーは、エッチング補助層MLが除去されるエネルギー以上であって、エッチング補助層MLの直下に位置する領域がスパッタリングされるエネルギーよりも小さく、第1工程及び第2工程を含むシーケンスが繰り返して実行される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに異なる組成を有する複数のシリコン含有領域を含む被処理体を、処理容器内に収容し、前記複数のシリコン含有領域のいずれか一つ以上を選択的にエッチングする方法であって、前記処理容器内において生成された処理ガスのプラズマにより、前記複数のシリコン含有領域のいずれか一つ以上の表面にエッチング補助層を形成する第1工程と、前記エッチング補助層にエネルギーを与える第2工程と、を備え、前記エネルギーは、前記エッチング補助層が除去されるエネルギー以上であって、前記エッチング補助層の直下に位置する領域がスパッタリングされるエネルギーよりも小さく、前記第1工程及び前記第2工程を含むシーケンスが繰り返して実行されるエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/321 , H01L 21/768 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/302 105A , H01L21/88 D , H05H1/46 M

Fターム (40件)：

2G084AA02 , 2G084BB11 , 2G084CC05 , 2G084CC12 , 2G084CC33 , 2G084DD02 , 2G084DD15 , 2G084DD23 , 2G084DD37 , 2G084DD38 , 2G084DD55 , 2G084FF15 , 5F004AA05 , 5F004AA09 , 5F004BA06 , 5F004BA09 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB28 , 5F004CA01 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ35 , 5F033QQ54 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-201343 出願人：ソニー株式会社
低K及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ
公報種別：公表公報出願番号：特願2014-538839 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開昭61-258433

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