特許
J-GLOBAL ID：201403051796355750
低K及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-538839
公開番号（公開出願番号）：特表2014-532988
出願日： 2012年10月17日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：
低k及び他の誘電体膜のエッチングのための方法及び処理チャンバが記載される。例えば、この方法は、プラズマ処理によって低k誘電体層の部分を改質する工程を含む。低k誘電体層の改質された部分は、マスク層及び低k誘電体層の未改質部分の上で選択的にエッチングされる。異なるプラズマを交互に生成するための複数のチャンバ領域を有するエッチングチャンバが記載される。実施形態では、第1電荷結合プラズマ源が、ある動作モードにおいてワークピースへイオン束を生成するために設けられ、一方、二次プラズマ源が、別の動作モードにおいてワークピースに顕著なイオン束なしで反応種束を提供するために設けられる。コントローラは、誘電体材料の所望の累積量を除去するために時間をかけて動作モードを繰り返し循環するように操作する。
請求項（抜粋）：
エッチング処理中にワークピースを支持するチャックと、
チャックの上方に配置され、第1チャンバ領域内へ第1供給ガスを分配する第1シャワーヘッドであって、チャック及び第1シャワーヘッドは、第1シャワーヘッドとチャックの間の第1チャンバ領域内に第1供給ガスの第1プラズマを容量的に励起させるための第1RF結合電極対を形成する第1シャワーヘッドと、
チャックと対向する第1シャワーヘッドの上方に配置される二次電極であって、二次電極と第1シャワーヘッドは、第1シャワーヘッドと二次電極の間の第2チャンバ領域内に第2供給ガスの第2プラズマを容量的に放電するための第2RF結合電極対を形成する二次電極と、
第1及び第2RF結合電極対に自動的に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第1及び第2プラズマを交互に励起するためのコントローラを含むプラズマエッチングチャンバ。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H05H 1/24
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, H05H1/24
, H05H1/46 M
, H05H1/46 L
5F004AA06
, 5F004BA03
, 5F004BA04
, 5F004BA05
, 5F004BA09
, 5F004BB28
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DA17
, 5F004DB00
, 5F004EA13
, 5F004EA28
, 5F004EB03
