特許

J-GLOBAL ID：201703002613547801

マーキングを有する太陽電池セルおよびその製造方法

発明者： 臼井 幸也 ,  神谷 一徳
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-128399
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005549
特許番号：特許第6098815号
出願日： 2013年06月19日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 テクスチャ面を有する半導体基板と、前記テクスチャ面に製膜された透明電極膜と、前記テクスチャ面に形成された窪みからなるマーキングを有するマーキング領域と、を有する太陽電池セルであって、 前記マーキング領域とその周辺部に前記透明電極膜は製膜されておらず、かつ 前記マーキング領域とその周辺部の半導体基板表面の高さは、前記透明電極膜が製膜された領域の半導体基板の高さよりも低い、太陽電池セル。

IPC (5件)：

H01L 31/02 ( 200 6.01) ,  H01L 31/0224 ( 200 6.01) ,  H01L 31/0236 ( 200 6.01) ,  H01L 31/0747 ( 201 2.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 31/04 200 ,  H01L 31/04 266 ,  H01L 31/04 280 ,  H01L 31/06 455 ,  H01L 21/302 201 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 太陽電池マーキング方法および太陽電池
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-556782   出願人：キュー-セルズアーゲー
• 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-209045   出願人：株式会社カネカ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-191767   出願人：エルピーダメモリ株式会社