特許
J-GLOBAL ID：200903064152960062

太陽電池マーキング方法および太陽電池

発明者：
ミュラー,ヨーグ

ミュラー,ヨーグ について

, 
パッツラフ,トラルフ

パッツラフ,トラルフ について


出願人/特許権者：
キュー-セルズ アーゲー

キュー-セルズ アーゲー について


代理人 (1件)： 橋爪 健
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-556782
公開番号（公開出願番号）：特表2009-528687
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
本発明は、太陽電池マーキング方法に関する。該太陽電池マーキング方法は、活性領域(5)を備える太陽電池(1)を製造するための、基板表面を有する基板を設ける工程と、上記基板表面内に、少なくとも1つの窪み(21、31)を、レーザ照射を用いて生成する工程とを有し、少なくとも1つの窪み(21、31)は、太陽電池(1)を刻印するためのマーキング(2、3)を形成し、上記窪み(21、31)を生成する工程を、太陽電池製造プロセスを実施する前、または、太陽電池製造プロセスを実施している間に行う。本発明では、上記基板を、ウェハ表面を有する半導体ウェハとして形成し、該ウェハ表面上に、マーキング(2、3)を、マーキング(2、3)が半導体ウェハから成る太陽電池(1)の活性領域(5)内に存在するように配置する。本発明は、さらに、半導体ウェハ太陽電池(1)に関し、該半導体ウェハ太陽電池のマーキングは、良好に認識可能な状態に、従って、確実に読み取り可能な状態に配置されており、これによって太陽電池(1)の機能性が阻害されることはない。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
活性領域(5)を備える太陽電池(1)を製造するための、基板表面を有する基板を設ける工程と、 上記基板表面内に、少なくとも1つの窪み(21、31)を、レーザ照射を用いて生成する工程とを有し、 上記少なくとも1つの窪み(21、31)は、太陽電池(1)を刻印するためのマーキング(2、3)を形成し、上記窪み(21、31)を生成する工程を、太陽電池製造プロセスを実施する前、または、太陽電池製造プロセスを実施している間に行う太陽電池マーキング方法において、 上記基板をウェハ表面を有する半導体ウェハとして形成し、上記ウェハ表面上にマーキング(2、3)を、マーキング(2、3)が半導体ウェハから成る太陽電池(1)の活性領域(5)内に存在するように配置することを特徴とする、太陽電池マーキング方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/302
FI (3件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 B ,  H01L21/302 201B
Fターム (8件)：
5F004AA03 ,  5F004BB03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051FA10 ,  5F051HA01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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