特許
J-GLOBAL ID：201703002655016490
窒化物半導体の製造基板、及び窒化物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人グランダム特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-032707
公開番号（公開出願番号）：特開2017-149600
出願日： 2016年02月24日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】品質の良好な窒化物半導体を製造することができる窒化物半導体の製造基板、及び窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体の製造基板は、基板本体10Aと、基板本体10Aの表面に設けられ、液相成長によって左右側面10Cが横方向に結晶成長する台形状に形成された複数の凸状部10Bと、基板本体10Aの表面であり、隣り合う凸状部10Bの間に設けられ、液相成長によって結晶成長しない非結晶成長部10Dとを備えており、左右側面10Cから非結晶成長部10Dにわたり湾曲している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板本体と、
前記基板本体の表面に設けられ、液相成長によって側面が横方向に結晶成長する台形状に形成された複数の凸状部と、
前記基板本体の表面であり、隣り合う前記凸状部の間に設けられ、前記液相成長によって結晶成長しない非結晶成長部と、
を備えており、
前記側面から前記非結晶成長部にわたり湾曲していることを特徴とする窒化物半導体の製造基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG05
, 4G077ED04
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077QA11
, 4G077QA72
