リードフレームおよびリードフレームの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-100144
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208461
出願日： 2016年05月19日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】表面に部分めっき層および粗化面を備えるリードフレームにおいて、そのリードフレーム上の領域有効活用を図ることができ、しかも樹脂密着性向上による信頼性向上が期待できるようにする。【解決手段】銅または銅合金を形成材料とする基材11と、前記基材11の表面の一部に形成され、少なくとも表層部分にニッケルリンめっき層12aを有する部分めっき層12と、前記基材11の表面における前記部分めっき層12との隣接領域に配された粗化面13と、を備えてリードフレーム10を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

銅または銅合金を形成材料とする基材と、前記基材の表面の一部に形成され、少なくとも表層部分にニッケルリンめっき層を有する部分めっき層と、前記基材の表面における前記部分めっき層との隣接領域に配された粗化面と、を備えるリードフレーム。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , C23F 1/18

FI (5件)：

H01L23/50 D , H01L23/50 H , H01L23/50 R , H01L23/50 A , C23F1/18

Fターム (11件)：

4K057WA05 , 4K057WA07 , 4K057WB04 , 4K057WC05 , 4K057WE03 , 4K057WE25 , 4K057WN01 , 5F067AA01 , 5F067AA04 , 5F067DC18 , 5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-045115 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
特公昭60-033312
特公昭60-033312

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